據(jù)媒體12月23日?qǐng)?bào)道， 比亞迪 半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀日前表示，比亞迪車規(guī)級(jí)的IGBT已經(jīng)走到5代，碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代，第4代正在開發(fā)當(dāng)中。目前在規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線，預(yù)計(jì)到明年有自己的產(chǎn)線。

據(jù)了解，比亞迪半導(dǎo)體以IGBT和SiC為核心，擁有IDM功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，包括芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝測(cè)試以及整車應(yīng)用。目前，比亞迪已研發(fā)出SiC MOSFET。比亞迪旗艦車型 漢EV (配置 | 詢價(jià)) 四驅(qū)版正是國(guó)內(nèi)首款批量搭載Sic MOSFET組件的車型。按照比亞迪公布的計(jì)劃，預(yù)計(jì)到 2023 年，其旗下電動(dòng)車將實(shí)現(xiàn)碳化硅功率半導(dǎo)體對(duì) IGBT的全面替代，整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%。

比亞迪半導(dǎo)體宣布自建SiC產(chǎn)線或許與其SiC產(chǎn)能不足有關(guān)。9月17日，比亞迪半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體產(chǎn)品中心芯片研發(fā)總監(jiān)吳海平在接受專訪時(shí)回應(yīng)稱，目前，SiC的產(chǎn)能仍在爬坡，而漢EV后驅(qū)版的預(yù)定量非常多，遠(yuǎn)超企業(yè)預(yù)期，因此造成供貨趕不上需求的問(wèn)題。但他也表示，從第四季度開始，SiC產(chǎn)能將能持續(xù)滿足漢EV四驅(qū)版的銷售需求。”

12月21日，比亞迪發(fā)布投資者調(diào)研公告，回答了中信證券等調(diào)研者關(guān)于IGBT、比亞迪半導(dǎo)體等相關(guān)的問(wèn)題。

比亞迪透露，在比亞迪市場(chǎng)化發(fā)展的戰(zhàn)略布局下，比亞迪半導(dǎo)體作為中國(guó)最大的車規(guī)級(jí)IGBT廠商，僅用42天即成功引入紅杉資本中國(guó)基金、中金資本、國(guó)投創(chuàng)新等知名投資機(jī)構(gòu)，邁出了比亞迪市場(chǎng)化戰(zhàn)略布局的第一步。后續(xù)比亞迪將加快推進(jìn)比亞迪半導(dǎo)體分拆上市工作，并著手培育更多具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的子公司實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)化運(yùn)營(yíng)，不斷提升公司整體價(jià)值。